二极管反偏 与 NPN三极管的BC反偏有什么区别?

1.大家都知道二极管在反偏的时候,耗尽区会增大,电流基本是零.

2.NPN三极管的BC反偏的时候,同样是PN结反偏,还会提到E极流入B极的电子只有少部分被B极的空穴复合,大部分电子会进入BC之间的耗尽区,在该区域的电场作用下,越过反偏的BC结,形成c极电流。


3.我的问题是,在单个二极管反偏的情况下,为什么不提电源的负极能够提供电子,这些电子也会进入耗尽区,在电场的作用下,越过反偏的PN结,形成电流。

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4 个回答

juincenJ

Vc > Vb > Ve情况下,一个NPN三极管,假想:E极(N区)重掺杂,B极悬空,,就接近一个反偏的二极管了。在此情况下,由于B极悬空,没有足够的BE结偏压,无法提供足够的电子,因此电流极小。

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君莫问

然而二极管反偏的时候电源负极电子并不能进入P区。。。。。这就是三极管的牛逼之处啦。

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追忆似水年华

阁下的问题与三极管饱和类似,参考下面文字。 B、C反偏,但还是有IC,简单说是因为有Ib导致三极管B区电子密度大大增加,通过热扩散至C区形成IC电流。


从三极管结构来讲:在正向的Vbe电场作用下,发射极的电子注入基区,再扩散到集电结边缘。三极管未饱和时,集电结反偏的电压会把边缘的电子立刻吸引到集电极。可是当电流Ib逐渐增加,Ic也增加,扩散到集电结边缘的电子越来越多,电子浓度不断增加,集电结反偏势垒Vcb就会越来越小。当Ic大到使Vcb为0时,管子进入饱和,就不再有电场吸引这些结边缘的电子了,电子只能是扩散到集电极。当Ic再增加时,Vcb<0(Vb=0.7V,Vc=0.3V),此时集电结就正偏了,会阻碍电子扩散了,但因为基区电子浓度太大了,电子继续扩散到集电极,能够满足Ic大小的要求。注意:Vcb<0集电结正偏并不是三极管外部电场导致的结果,而是由于基区的电子浓度远大于集电区由电子扩散所造成的! 


注:扩散,全称分子扩散。在浓度差或其他推动力的作用下,由于分子、原子等的热运动所引起的物质在空间的迁移现象,是质量传递的一种基本方式。以浓度差为推动力的扩散,即物质组分从高浓度区向低浓度区的迁移,是自然界和工程上最普遍的扩散现象;以温度差为推动力的扩散称为热扩散;在电场、磁场等外力作用下发生的扩散,则称为强制扩散。

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kevin1575

一般情况下电子确实是不能像在导体中一样大量进入P区形成自由电子的,因为进入的自由电子会被大量的空穴复合吞噬掉,在边界处会形成一个很陡的分布密度坡,但是不能进入并不代表P区就不能导电,P区的导电机制是一端进入的电子被吞噬,另一端又把吞噬的电子拉出,于是完成了电子的回路,这正是pn结正偏时的导电机制。那么反偏的时候呢,电源负极确实是提供大量自由电子让空穴吞噬的,那为什么还不导电呢,因为另一端是一个结,这个结虽然有空间电荷可以拉电子,但是,它只能拉自由电子,形成漏电流,却拉不出空穴里的电子,要想拉出来必须把反向电压加大到结的击穿电压,也就是说在结这里断路了。


   然后再说三极管。为什么三极管的P区有大量的自由电子呢?首先前面说过,自由电子电子一进来就被吞噬的,自由电子在边界处是有一个分布密度的坡度的,也就是并没有完全被吞噬掉,这种坡可以调节让它变地缓一点变得长一点,那就是减低P区的掺杂浓度,减少空穴的数量,然后再减小P区的长度,使得自由电子的分布能够触及到电荷区的边界,让电荷区把自由电子吸过去。差不多是这样吧,有不正之处还请指正。

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  • zhm_33 提出于 2018-03-20 15:03

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