Vc > Vb > Ve情况下，一个NPN三极管，假想：E极（N区）重掺杂，B极悬空，，就接近一个反偏的二极管了。在此情况下，由于B极悬空，没有足够的BE结偏压，无法提供足够的电子，因此电流极小。
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然而二极管反偏的时候电源负极电子并不能进入P区。。。。。这就是三极管的牛逼之处啦。
阁下的问题与三极管饱和类似，参考下面文字。 B、C反偏，但还是有IC，简单说是因为有Ib导致三极管B区电子密度大大增加，通过热扩散至C区形成IC电流。
从三极管结构来讲：在正向的Vbe电场作用下，发射极的电子注入基区，再扩散到集电结边缘。三极管未饱和时，集电结反偏的电压会把边缘的电子立刻吸引到集电极。可是当电流Ib逐渐增加，Ic也增加，扩散到集电结边缘的电子越来越多，电子浓度不断增加，集电结反偏势垒Vcb就会越来越小。当Ic大到使Vcb为0时，管子进入饱和，就不再有电场吸引这些结边缘的电子了，电子只能是扩散到集电极。当Ic再增加时，Vcb<0（Vb=0.7V，Vc=0.3V）,此时集电结就正偏了，会阻碍电子扩散了，但因为基区电子浓度太大了，电子继续扩散到集电极，能够满足Ic大小的要求。注意：Vcb<0集电结正偏并不是三极管外部电场导致的结果，而是由于基区的电子浓度远大于集电区由电子扩散所造成的！
注：扩散，全称分子扩散。在浓度差或其他推动力的作用下，由于分子、原子等的热运动所引起的物质在空间的迁移现象，是质量传递的一种基本方式。以浓度差为推动力的扩散，即物质组分从高浓度区向低浓度区的迁移，是自然界和工程上最普遍的扩散现象；以温度差为推动力的扩散称为热扩散；在电场、磁场等外力作用下发生的扩散，则称为强制扩散。
一般情况下电子确实是不能像在导体中一样大量进入P区形成自由电子的，因为进入的自由电子会被大量的空穴复合吞噬掉，在边界处会形成一个很陡的分布密度坡，但是不能进入并不代表P区就不能导电，P区的导电机制是一端进入的电子被吞噬，另一端又把吞噬的电子拉出，于是完成了电子的回路，这正是pn结正偏时的导电机制。那么反偏的时候呢，电源负极确实是提供大量自由电子让空穴吞噬的，那为什么还不导电呢，因为另一端是一个结，这个结虽然有空间电荷可以拉电子，但是，它只能拉自由电子，形成漏电流，却拉不出空穴里的电子，要想拉出来必须把反向电压加大到结的击穿电压，也就是说在结这里断路了。
然后再说三极管。为什么三极管的P区有大量的自由电子呢？首先前面说过，自由电子电子一进来就被吞噬的，自由电子在边界处是有一个分布密度的坡度的，也就是并没有完全被吞噬掉，这种坡可以调节让它变地缓一点变得长一点，那就是减低P区的掺杂浓度，减少空穴的数量，然后再减小P区的长度，使得自由电子的分布能够触及到电荷区的边界，让电荷区把自由电子吸过去。差不多是这样吧，有不正之处还请指正。