lijun
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2018-10-14 15:11 回答问题

对于半导体行业的系统设计人员而言,电磁干扰(Electromagnetic interference, EMI)始终都是一大挑战。在当今的系统设计中,电子元器件布局密集紧凑,处理器速度和数据速率超过以往任何时候,因而这种挑战变得更为严峻。系统时钟是产生EMI 的主因素。 MEMS 振荡器已得到了非常广泛的使用,并在很多需要生成时钟的应用中稳步取代晶体振荡器。MEMS 振荡器与晶体振荡器相比具有显著的优势,其中之一就是它们能够灵活地进行编程和配置,可以减少EMI。

2018-10-14 15:01 回答问题

MΩ阻抗和50Ω阻抗档位的设计出发点是不同的,1MΩ档位的出发点是为了让示波器拥有较小的负载效应,而50Ω档位则是为了消除传输线上的信号反射,将传输线影响降到最低。选择何种阻抗档位,需要根据实际测量情况而定: 1、当被测信号是一个无负载信号(如信号发生器),且采用50Ω特性阻抗同轴电缆与示波器相连接时,则需要使用50Ω阻抗档位。 2、当被测信号是一个板载信号,有自己完整的终端接收系统时,则需要使用1MΩ阻抗档位直接测量或者使用探头测量。 3、配合探头测量时,需要注意无源探头都需要使用1MΩ

2018-10-12 13:10 回答问题

选择300KHZ的,辐射少一点。

2018-10-12 12:22 回答问题

MOS的沟道只要导通了,是不分方向的。

2018-10-10 15:42 回答问题

尽可能低阻抗设计,高阻网络尽量短,集中,但注意避免互相干扰。

2018-09-25 09:38 回答问题

VCC接一条,V1接在右边那个线就可以了。

2018-09-20 19:11 发起提问

2018-09-18 11:13 发起提问

2018-09-18 11:10 发起提问

2018-09-17 20:57 发起提问